SK하이닉스, 미국 인디애나에 AI 메모리 패키징 기지 착공…“Made in USA HBM 거점”

SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에 AI 메모리용 패키징 생산 기지를 짓기 위한 첫 삽을 떴다. 회사는 27일(현지시간) 퍼듀대학교 할로웨이 체육관에서 기공식을 열고, 이 시설이 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 패키징 거점이 될 것이라고 밝혔다. 곽노정 SK하이닉스 CEO는 “인디애나 팹은 최초로 ‘Made in USA’ HBM을 제공하는 거점이 될 것”이라고 말했다.

이날 행사에는 마이크 브런 인디애나 주지사와 토드 영 연방 상원의원, 미치 대니얼스 퍼듀대 총장, 로버트 에이브럼스 주한미군전우회 회장, 강경화 주미 한국대사 등이 참석했다. SK그룹에서는 유정준 미주총괄 부회장, 이형희 부회장, 곽 CEO 등이 자리했다. 브런 주지사는 이번 프로젝트가 인디애나주에 수천 개의 일자리를 만들고 지역 경제를 활성화할 것이라고 환영했다.

SK하이닉스는 이번 투자가 미국 반도체 생태계 강화와 한미 경제협력 확대에 기여할 것으로 보고 있다. 회사에 따르면 현재 100여 개가 넘는 소재·부품·장비 협력사가 웨스트 라피엣 진출을 논의 중이며, 팹 건설과 운영을 통해 미국 내에서 7000여 개의 직·간접 일자리가 창출될 것으로 예상된다. 다만 실제 고용 규모와 투자 집행 일정은 향후 공정 진행에 따라 달라질 수 있다.

SK하이닉스는 기공식과 함께 퍼듀대학교와 어드밴스드 패키징 분야 연구개발 협력을 위한 업무협약도 체결했다. 퍼듀대는 반도체 패키징 관련 연구 거점으로 꼽히는 ‘퍼듀 버크 나노테크놀로지 센터’를 보유하고 있다. 회사는 대학과의 협력을 통해 엔지니어와 기술 인력 확보 기반을 넓히고, 생산기지를 단순 조립 시설이 아닌 미국 내 R&D 전초기지로 키운다는 구상이다.